通用RF器件 邻道泄漏比(ACLR)来源
ACLR/IMD模型
ACLR与IMD 关系
参考文献
基本关系
结论
ACLRn="n"载波 ACLR,以dBc为企业
ACLRn="n"载波 ACLR,以dBc为企业
ACLRn=( x[(P- )-(OIP )])+(Cn)
ACLRn=- dBc
ACLRn=- dBc+ dB
ACLRn=- 零dBc
ACLRn= x(( 零- )-( ))+
ACLRn=IMD +Cn
Cn=上述表中 值
Cn=上述表中 值
IMD =( xPm)-( xOIP )
IMD = x( - )=- dBc
IMD = x(Pm-OIP )
IMD = 阶IM ,以dBc为企业,表示相对功率
IMD = 阶IM ,以dBm为企业,表示绝对功率
MichaelLeffel,"IntermodulationDistortioninaMulti-signalEnvironment,"RFDesignMagazine,June ,pp. - .
NunoBorgesCarvalhoandJoseCarlosPedro,"CompactFormulastoRelateACPRandNPRtoTwo-ToneIMRandIPE,"MicrowaveJournal,December ,pp. 零- .
OIP =+ dBm
OIP =+ dBm
OIP =+ . dBm
OIP =零. x([ x( 零- )]-[- ]+[ ])
OIP =零. x([ x(P- )]-[ACLRn]+[Cn])
OIP = 阶交调截点,表示绝对功率
OIP = 阶交调截点,表示绝对功率
OIP =器件 OIP ,狗粮快讯网网讯,以dBm为企业
OIP =器件 OIP ,以dBm为企业
P/载波=+ dBm
P/载波=+ dBm
P=所有载波 总输出功率,以dBm为企业
Pm=(+ 零dBm- dB)=+ dBm每个单音
Pm=双音测试例子中 每个单音功率
Pm=双音测试例子中 每个单音功率
Ptot=+ 零dBm(PA 总输出功率)
Ptot=+ 零dBm,总功率
Ptot=+ 零dBm,狗粮快讯网陆续报道,总功率
Ptot=所有载波 总输出功率,以dBm为企业
为了了解RF器件 ACLR来源可以对宽带载波频谱进行模拟,相当于独立 CW副载波集合。每个副载波都会携带 部分总 载波功率。下图所示就是这样 个模型,连续RF载波由 个单独 CW副载波模拟,每个副载波 功率为总载波功率 分之 。副载波以相同 间隔均匀地分布于整个载波带宽内。
为了方便,可将该公式重写为相对IMD ,即与功率电平(P)有关 IM 性能。
以总输出功率(Ptot)为+ 零dBm,OIP 为+ dBm 功率放大器(PA)为例。这样 个PA 相对IMD 可利用上述公式推导得出。但是,IM 双音测试中每个单音 输出功率比PA 总输出功率低 dB,即每个单音+ dBm。所以利用这些值来计算该PA IMD
例
例
例
其中Cn如下表所示，
其中,
其中,
其中,
其中,
器件 阶互调分量和 阶交调截点之间 关系如下所示，
图 .宽带载波信号 副载波模型
图 中 绿线从左到右分别是副载波 和 。如果我们只考察左边 两个副载波( 和 ),可以考虑RF器件中 任意IMD 失真引起 阶IMD分量。 阶失真表现为这两个副载波两侧 低电平副载波,两个“绿色”副载波左边 个“红色”失真分量是这两个副载波 IMD 失真结果。
宽带载波 ACLR通过 个校正因数与双音IMD 性能相关。该校正 存在是由于IMD 性能造成了ACLR性能恶化。这种恶化来源于由扩频载波 频谱密度组成 各种互调分量 影响。ACLR与IMD 有效关系如下所示，
我们可以将IMD 和ACLRn 上述关系式合并为 个统 表明式,由RF器件 基本性能参数来推导多个扩频载波 ACLR。
来自副载波 和 IMD 分量在与载波 间距相同 频率处具有IMD 失真分量。这在载波频谱 左边产生第 个“红色”IM分量。同样,来自副载波 和 IMD 生成 失真分量距离载波边缘更远。
注意这里还存在其它 IMD分量。副载波 和 产生 IM 分量直接叠加在副载波 和 产生 IMD分量上。这 累加效应会使距离RF载波边缘较近 IMD分量 幅值比距离RF载波边缘较远 IMD分量高,产生ACLR失真频谱中 “肩”特性。Leffel 发表 篇论文详细描述了来自多个副载波 IMD分量 这种累加。
这种技术可以定量地预测单独 IMD 失真分量 实际电平。通过增加模型中所使用 单独 副载波 数量可以增加模型 精度 。多个宽带载波 ACLR性能与该模型中 ACLR非常像,狗粮快讯网报道说,模型中每个单独 宽带载波占据总 宽带载波带宽 部分。在宽带载波 相邻部分,邻近新后 个载波 单载波 ACLR处于IMD 引起 失真响应 高肩位置。这导致多载波情形 ACLR比单载波系统 ACLR差得多。再次说明,这 结果可以量化后用以精确预测单宽带载波或多宽带载波 ACLR性能。这种基本技术只通过OIP 参数来预测RF器件 ACLR性能。
通用RF器件 载波功率电平、OIP 指标和单载波/多载波ACLR性能之间 关系已推导得出。该关系适用于性能受 阶失真分量影响 RF器件。包括许多通用 RF器件,但是驱动不能太接近饱和电平。通过观察,该模型对ACLR 预测精度接近± dB。
重复上述例子,现假设功率放大器必须产生 个载波,功率均为 零mW,总输出功率为 W。
重复上述例子,现假设该功率放大器 载波ACLR期望值是- 零dBc。
重新整理该公式可推导出要得到期望 ACLR所需 OIP 。重新改写后 公式如下，
,